KP727V Todos los transistores

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KP727V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KP727V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 88 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 10 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.1 Ohm

Empaquetado / Estuche: KT282

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KP727V Datasheet (PDF)

5.1. kp727.pdf Size:200K _integral

KP727V
KP727V

КП727 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор Назначение Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и обогащением n-канала (КП727В – с встроенным обратносмещенным диодо

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