SGM2305A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SGM2305A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 10 nC
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SGM2305A
SGM2305A Datasheet (PDF)
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SGM2305A -3.2 A, -30 V, RDS(ON) 80 m P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 FEATURES A The SGM2305A provide the designer with best combination of fast switching, 4Top ViewC Blow on-resistance and cost-effectiveness. The SGM2305A is universally preferred
sgm2306a.pdf
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SGM2306A5A, 30V,RDS(ON) 35m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductDescriptionSOT-89The SGM2306A utilized advanced processing techniques toachieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device.The SGM2306A is universally used for all commercial-industrial surface mount applications.
sgm2306a.pdf
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SGM2306Awww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = 4.5 V 6.8RoHS30 10 nC COMPLIANTAPPLICATIONS0.027 at VGS = 2.5 V 6.0 Load Switches for Portable DevicesDDGSG D SN-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C, unless otherwise n
sgm2310a.pdf
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SGM2310A 5 A, 60 V, RDS(ON) 115 m N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-89 DESCRIPTION AThe SGM2310A utilized advanced processing techniques to 4achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient Top ViewC Band cost-effectiveness device. The SGM231
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