SID9971 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SID9971
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SID9971

SID9971 Datasheet (PDF)

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sid9971.pdf

SID997125A, 60V,RDS(ON)36 m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductTO-251Description2.30.16.60.2The SID9971 provide the designer with the best combination5.30.2 0.50.05 of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 7.00.25.60.2The TO-251 is universall

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Liste

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