SID9971 Todos los transistores

 

SID9971 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SID9971

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO251

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SID9971 datasheet

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SID9971

SID9971 25A, 60V,RDS(ON)36 m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product TO-251 Description 2.3 0.1 6.6 0.2 The SID9971 provide the designer with the best combination 5.3 0.2 0.5 0.05 of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 7.0 0.2 5.6 0.2 The TO-251 is universall

Otros transistores... SGM3055 , SID05N10 , SID10N30-600I , SID20N06-90I , SID3055 , SID40N03 , SID9435 , SID9575 , IRF840 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2301 , SMG2301P , SMG2302 , SMG2302N , SMG2305 , SMG2305P .

History: SES760 | HY1001P | AP3N2R8H | BUK457-400A | 2SJ0582 | 15N05 | 2SK2975

 

 

 

 

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