SMG2302N Todos los transistores

 

SMG2302N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG2302N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG2302N datasheet

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SMG2302N

SMG2302N 3.4 A, 20 V, RDS(ON) 76 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to A L ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 3 3 app

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SMG2302N

SMG2302 3.2A, 20V,RDS(ON) 85m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free SC-59 A Dim Min Max Description L A 2.70 3.10 3 B 1.40 1.60 S B Top View The SMG2302 provide the designer with the best 2 1 C 1.00 1.30 Combination of fast switching, low on-resistance D 0.35 0.50 and

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SMG2302N

SMG2305 -4.2A, -20V,RDS(ON) 65m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free Description SC-59 A Dim Min Max The SMG2305 provide the designer with the best L combination of fast switching, low on-resistance A 2.70 3.10 3 and cost-effectiveness. B 1.40 1.60 S B Top View 2 1

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SMG2302N

SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high A cell density trench process to provide low RDS(on) and to L ensure minimal power loss and heat dissipation. 3 3 Top

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History: FDB0300N1007L | 2SJ374 | ME8205E-G

 

 

 

 

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