SMG2305P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMG2305P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 0.7 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: SC59
Búsqueda de reemplazo de SMG2305P MOSFET
SMG2305P Datasheet (PDF)
smg2305p.pdf

SMG2305P -4.5A , -20V , RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high Acell density trench process to provide low RDS(on) and to Lensure minimal power loss and heat dissipation. 33Top
smg2305pe.pdf

SMG2305PE -4.5 A, -20 V, RDS(ON) 43 m P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ALensure minimal power loss and heat dissipation. Typical 33applicat
smg2305.pdf

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History: STP10N80K5 | SSFT3904J7-HF | MMBT7002VW | IRFU7440PBF
History: STP10N80K5 | SSFT3904J7-HF | MMBT7002VW | IRFU7440PBF



Liste
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