SMG2328NE Todos los transistores

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SMG2328NE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG2328NE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 24 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.022 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC59

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SMG2328NE Datasheet (PDF)

1.1. smg2328ne.pdf Size:116K _secos

SMG2328NE
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3.1. smg2328s.pdf Size:350K _secos

SMG2328NE
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SMG2328S 1.2A , 100V , RDS(ON) 310 m? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen and lead-free SC-59 DESCRIPTION The SMG2328S utilized advanced processing A L techniques to achieve the lowest possible on-resistance, 3 3 extremely efficient and cost-effectiveness device. The Top View

3.2. smg2328.pdf Size:540K _secos

SMG2328NE
SMG2328NE

SMG2328 100V, 250m?, 1.5A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A Suffix of “-C” specifies halogen & lead-free DESCRIPTION The SMG2328 utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device. The SMG2328 is universally used for all commercial-ind

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