F5022 Todos los transistores

 

F5022 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F5022
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 70 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: KPACK
     - Selección de transistores por parámetros

 

F5022 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  fuji
 f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023 f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033 f5038 f5041 f5042 f5043 f5044 f9202 f9203 f9206 f9207 f9208 f9209.pdf pdf_icon

F5022

MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

Otros transistores... ECG455 , F5001H , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , 10N60 , F5023 , F5026 , F5027 , F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 .

History: FDB6035L | SSF3018D | 2SK2900-01 | 3LP01S | NCE1540AF | WVM13N50 | RFT3055LE

 

 
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