SMG2398N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMG2398N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.194 Ohm
Paquete / Cubierta: SC59
- Selección de transistores por parámetros
SMG2398N Datasheet (PDF)
smg2398n.pdf

SMG2398N 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize High Cell Density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, ALmaking this device ideal for use in power
smg2398ne.pdf

SMG2398NE 2.2 A, 60 V, RDS(ON) 194 m N-Channel Enhancement Mode Mos.FET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss ALand heat dissipation. Typical applicat
smg2390n.pdf

SMG2390N N-Channel Enhancement Mode Mos.FET 1.1 A, 150 V, RDS(ON) 0.700 Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION SC-59 These miniature surface mount MOSFETs utilize a High Cell Density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power ALloss and heat dissipation. Typical applica
smg2391p.pdf

SMG2391P -0.9A , -150V , RDS(ON) 1.2 P-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free SC-59 FEATURES Low RDS(on) trench technology AL Low thermal impedance 33 Fast switching speed Top View C B11 22K EAPPLICATIONS D PoE Power Sourcing Equipment
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History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665
History: SVS65R380DD4TR | AOB418 | WVM13N50 | FDMQ8203 | SL3N06 | 2SJ665



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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