F5023 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: F5023
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET F5023
Principales características: F5023
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MOSFET / P wer MOSFETs MOSFET P wer MOSFET F T I F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms ( ) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3
Otros transistores... F5001H , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , IRFP260N , F5026 , F5027 , F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 , F5033 .
History: HM80N80B
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Liste
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