F5023 Todos los transistores

 

F5023 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F5023

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.14 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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F5023 Datasheet (PDF)

1.1. f5016 f5017 f5018 f5019 f5020 f5021 f5022 f5023.pdf Size:40K _fuji

F5023

パワーMOSFET / Pסwer MOSFETs ■ パワーMOSFET Pסwer MOSFET 高機能パワー F T I F T 形   式 VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) パッケージ 質  量 * Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3

Otros transistores... F5001H , F5016H , F5017H , F5018 , F5019 , F5020 , F5021H , F5022 , IRF3710 , F5026 , F5027 , F5028 , F5029 , F5030 , F5031 , F5032 , F5033 .

 

 
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