SMG3400 Todos los transistores

 

SMG3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SMG3400

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SC59

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SMG3400 datasheet

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SMG3400

SMG3400 5.8A, 30V,RDS(ON) 28m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SC-59 A Dim Min Max Description L A 2.70 3.10 The SMG3400 uses advanced trench technology to provide * 3 B 1.40 1.60 S B Top View excellent on-resistance extremely efficient and 2 1 C 1.00 1.30 cost-effectiveness device. D 0.35 0.50 The SMG3400 is uni

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SMG3400

SMG3401 -4.2A, -30V,RDS(ON) 50m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3401 uses advanced trench technology 3 A 2.70 3.10 S B Top View to provide excellent on-resistance extremely 2 1 B 1.40 1.60 efficient and cost-effectiveness device. C 1.00 1.30 The

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SMG3400

SMG3407 -4.1A, -30V,RDS(ON) 52m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3407 uses advanced trench technology to 3 A 2.70 3.10 S B Top View provide excellent on-resistance with low gate change. 2 1 B 1.40 1.60 The device is suitable for use as a load switch or in C 1.00 1.30 PWM

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SMG3400

SMG3403 -3.7A, -30V,RDS(ON) 75m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product A SC-59 Description L Dim Min Max The SMG3403 provide the designer with the best 3 A 2.70 3.10 S B Top View combination of fast switching, low on-resistance 2 1 B 1.40 1.60 and cost-effectiveness. C 1.00 1.30 The SMG3403 is universally preferred f

Otros transistores... SMG2358N , SMG2359P , SMG2370N , SMG2371P , SMG2390N , SMG2391P , SMG2398N , SMG2398NE , CS150N03A8 , SMG3401 , SMG3402 , SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 .

History: BUK7Y8R7-60E

 

 

 

 

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