SMS840 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMS840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Encapsulados: SOT23
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SMS840 datasheet
sms840.pdf
SMS840 0.13A , 50V , RDS(ON) 10 P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-23 Low On-Resistance 10 A Low Input Capacitance 30PF L 3 Low Out Put Capacitance 10PF 3 Low Threshold 2V Top View C B Fast Switching Speed 2.5ns 1 1 2 2
Otros transistores... SMG3402 , SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , IRF1407 , SSD02N65 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D .
History: NTMS4916N | BUK7Y98-80E | IPD031N06L3
History: NTMS4916N | BUK7Y98-80E | IPD031N06L3
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