SMS840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SMS840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SMS840

SMS840 Datasheet (PDF)

..1. Size:1135K secos
sms840.pdf

SMS840 0.13A , 50V , RDS(ON) 10 P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-23 Low On-Resistance : 10 A Low Input Capacitance: 30PF L3 Low Out Put Capacitance : 10PF 3 Low Threshold : 2V Top ViewC B Fast Switching Speed : 2.5ns 11 22

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Liste

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