SMS840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SMS840
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.225 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de SMS840 MOSFET
SMS840 Datasheet (PDF)
sms840.pdf

SMS840 0.13A , 50V , RDS(ON) 10 P-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free FEATURES SOT-23 Low On-Resistance : 10 A Low Input Capacitance: 30PF L3 Low Out Put Capacitance : 10PF 3 Low Threshold : 2V Top ViewC B Fast Switching Speed : 2.5ns 11 22
Otros transistores... SMG3402 , SMG3403 , SMG3407 , SMG5403 , SMG5406 , SMG5409 , SMS318 , SMS4003K , P0903BDG , SSD02N65 , SSD10N20-400D , SSD12P10 , SSD15N10 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD20N15-250D , SSD20P06-135D .
History: MGSF1P02 | FDB52N20 | KS2302AA | SFG08S10BF | BLS70R600-A | SSW80R380S | IRF6668PBF
History: MGSF1P02 | FDB52N20 | KS2302AA | SFG08S10BF | BLS70R600-A | SSW80R380S | IRF6668PBF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
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