SSD30N10-70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD30N10-70D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.078 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSD30N10-70D
SSD30N10-70D Datasheet (PDF)
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SSD30N10-70D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 21A, 100V, RDS(ON) 78 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)KEY FEATURES Low RDS(on) trench technology Low thermal impedance Fast switching speed Typical Applications PoE Power Sourcing Equipment PoE Powered Devices ACB
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SSD30N10-50D 26A, 100V, RDS(ON) 50m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low R
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SSD30N06-39D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 30A, 60V, RDS(ON) 38 m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are
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SSD30N03-40D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 34A, 30V, RDS(ON) 26m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES
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History: IXFT36N50P
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