SSD30N10-70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD30N10-70D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 21 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13.6 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.078 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSD30N10-70D

SSD30N10-70D Datasheet (PDF)

1.1. ssd30n10-70d.pdf Size:393K _secos

SSD30N10-70D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 21A, 100V, RDS(ON) 78 m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) KEY FEATURES ? Low RDS(on) trench technology ? Low thermal impedance ? Fast switching speed Typical Applications ? PoE Power Sourcing Equipment ? PoE Powered Devices A C B ? Telecom DC/DC c

1.2. ssd30n10-50d.pdf Size:182K _secos

SSD30N10-50D 26A, 100V, RDS(ON) 50m? N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES ? Low RDS(on)

4.1. ssd30n06-39d.pdf Size:387K _secos

SSD30N06-39D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 30A, 60V, RDS(ON) 38 m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC

4.2. ssd30n03-40d.pdf Size:454K _secos

SSD30N03-40D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 34A, 30V, RDS(ON) 26m? ? ? ? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free DESCRIPTION TO-252(D-Pack) These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. FEATURES Low RDS

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: