SSD50N06-15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSD50N06-15D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 51 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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SSD50N06-15D Datasheet (PDF)

..1. Size:381K secos
ssd50n06-15d.pdf

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9.1. Size:145K secos
ssd50p03-09d.pdf

SSD50P03-09D 61A, -30V, RDS(ON) 9m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme

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Liste

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