SSD50N06-15D Todos los transistores

 

SSD50N06-15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD50N06-15D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 51 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD50N06-15D Datasheet (PDF)

1.1. ssd50n06-15d.pdf Size:381K _secos

SSD50N06-15D
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SSD50N06-15D N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 51A, 60V, RDS(ON) 13 m? Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manage

5.1. ssd50p03-09d.pdf Size:145K _secos

SSD50N06-15D
SSD50N06-15D

SSD50P03-09D 61A, -30V, RDS(ON) 9m? P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management c

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