SSD50N06-15D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSD50N06-15D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 51 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 12.5 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSD50N06-15D
SSD50N06-15D Datasheet (PDF)
ssd50n06-15d.pdf
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ssd50p03-09d.pdf
SSD50P03-09D 61A, -30V, RDS(ON) 9m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack)DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme
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