SSD70N03-04D Todos los transistores

 

SSD70N03-04D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD70N03-04D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO252

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SSD70N03-04D datasheet

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SSD70N03-04D

SSD70N03-04D 75A, 30V, RDS(ON) 6 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme

 7.1. Size:146K  secos
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SSD70N03-04D

SSD70N04-06D 75A, 40V, RDS(ON) 6 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power manageme

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History: AOK22N50 | HM2302B | SSD40N10-30D | KP742A

 

 

 

 

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