SSD70N04-06D Todos los transistores

 

SSD70N04-06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD70N04-06D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 75 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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SSD70N04-06D Datasheet (PDF)

1.1. ssd70n04-06d.pdf Size:146K _secos

SSD70N04-06D
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SSD70N04-06D 75A, 40V, RDS(ON) 6 m? N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management c

3.1. ssd70n03-04d.pdf Size:676K _secos

SSD70N04-06D
SSD70N04-06D

SSD70N03-04D 75A, 30V, RDS(ON) 6 m? N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen free TO-252(D-Pack) DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves energy, making this device ideal for use in power management c

 

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