SSD9971 Todos los transistores

 

SSD9971 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSD9971

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO252

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SSD9971 datasheet

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SSD9971

SSD9971 25A, 60V,RDS(ON)36 m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description TO-252 The SSD9971 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications a

 8.1. Size:716K  secos
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SSD9971

SSD9973 14A, 60V,RDS(ON)80m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product Description TO-252 The SSD9973 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-252 is universally preferred for all commercial-industrial surface mount applications an

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History: MTE55N20J3

 

 

 

 

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