SSF7400 Todos los transistores

 

SSF7400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF7400
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSF7400 Datasheet (PDF)

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SSF7400

SSF7400 30V , 1.7A , RDS(ON) 85m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOT-323 The SSF7400 uses advanced trench technology to provide excellent on-resistance, low gate charge and ALoperation with gate voltage as low as 2.5V. It can be 33used for a wide va

 8.1. Size:354K  secos
 ssf7401.pdf pdf_icon

SSF7400

SSF7401 -30V , -2A P-Ch Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOT-323 DESCRIPTION The SSF7401 uses advanced trench technology to ALprovide excellent on-resistance, low gate charge and 33operation with gate voltage as low as 2.5V. It can be Top View C Bused for a wide variety of

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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