SSG4224 Todos los transistores

 

SSG4224 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSG4224
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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SSG4224 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  secos
ssg4224.pdf

SSG4224
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SSG422410A,30V,RDS(ON) 14m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90The SSG4224 provide the designer with the best combination of fast switching, o0.375 REF6.20ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.253.804.001.27Typ.0.350.494.80 0.1

 8.1. Size:817K  secos
ssg4228.pdf

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SSG4228 6.8A, 30V, RDS(ON) 26m Dual-N Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG4228 provide the designer with the best B Combination of fast switching, ruggedized device design, Ultra low on-resistance and cost-effectiveness. L DFEATURES M Low o

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