SSG4224 Todos los transistores

 

SSG4224 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG4224

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: SOP8

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SSG4224 datasheet

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SSG4224

SSG4224 10A,30V,RDS(ON) 14m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOP-8 Description 0.19 0.25 0.40 0.90 The SSG4224 provide the designer with the best combination of fast switching, o 0.375 REF 6.20 ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 5.80 0.25 3.80 4.00 1.27Typ. 0.35 0.49 4.80 0.1

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SSG4224

SSG4228 6.8A, 30V, RDS(ON) 26m Dual-N Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION The SSG4228 provide the designer with the best B Combination of fast switching, ruggedized device design, Ultra low on-resistance and cost-effectiveness. L D FEATURES M Low o

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History: SUP60N06-12P

 

 

 

 

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