F5032 Todos los transistores

 

F5032 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: F5032
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: KPACK

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F5032 Datasheet (PDF)

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MOSFET / Pwer MOSFETs MOSFET Pwer MOSFET F TI F T VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) Device type Max. Typ. Package Net massVolts Amps. Amps. Ohms () Watts Volts Volts GramsF5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6F5020 40 3

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