SSG4492N Todos los transistores

 

SSG4492N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSG4492N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SSG4492N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SSG4492N datasheet

 ..1. Size:142K  secos
ssg4492n.pdf pdf_icon

SSG4492N

SSG4492N 9A, 100V, RDS(ON) 26m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L D M FEATURES L

 8.1. Size:168K  secos
ssg4499p.pdf pdf_icon

SSG4492N

SSG4499P -6.8 A, -60 V, RDS(ON) 45 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to B provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. L D M FEATURES

 8.2. Size:144K  secos
ssg4490n.pdf pdf_icon

SSG4492N

SSG4490N 5.2 A, 100 V, RDS(ON) 78 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal B power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC converters and power management In portable and battery-powered

 9.1. Size:142K  secos
ssg4462n.pdf pdf_icon

SSG4492N

SSG4462N 9.7 A, 60 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications ar

Otros transistores... SSG4434N, SSG4435, SSG4436N, SSG4462N, SSG4463P, SSG4470STM, SSG4480N, SSG4490N, IRF630, SSG4499P, SSG4501, SSG4502C, SSG4502CE, SSG4503, SSG4505, SSG4510, SSG4512CE

 

 

 

 

↑ Back to Top
.