F5033 Todos los transistores

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F5033 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: F5033

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.6 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOP8

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F5033 Datasheet (PDF)

1.1. f5028 f5029 f5030 f5031 f5032 f5033.pdf Size:40K _fuji

F5033

パワーMOSFET / Pסwer MOSFETs ■ パワーMOSFET Pסwer MOSFET 高機能パワー F T I F T 形   式 VDSS ID ID (pulse) RDS (on) PD VGSS VGS (th) パッケージ 質  量 * Device type Max. Typ. Package Net mass Volts Amps. Amps. Ohms (Ω) Watts Volts Volts Grams F5018 40 8 - 0.14 15 - - K-pack 0.6 F5019 40 12 - 0.14 30 - - T-pack 1.6 F5020 40 3

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