SSG4502C Todos los transistores

 

SSG4502C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSG4502C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9(16) nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de SSG4502C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSG4502C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1023K  secos
 ssg4502c.pdf pdf_icon

SSG4502C

SSG4502C N-Ch: 10 A, 30 V, RDS(ON) 16 mP-Ch: -8.5 A, -30 V, RDS(ON) 23 mElektronische Bauelemente N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power lo

 0.1. Size:3228K  secos
 ssg4502ce.pdf pdf_icon

SSG4502C

SSG4502CE N & P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET N-Ch: 10.0 A, 30 V, RDS(ON) 16 m Elektronische Bauelemente P-Ch: -8.5A, -30 V, RDS(ON) 23 m RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free SOP-8 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a Bhigh cell density trench process to provide low RDS(on)

 8.1. Size:1192K  secos
 ssg4503.pdf pdf_icon

SSG4502C

SSG4503N Channel 6.9A, 30V,RDS(ON) 28m P Channel -6.3A, -30V,RDS(ON) 36m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4503 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

 8.2. Size:979K  secos
 ssg4505.pdf pdf_icon

SSG4502C

SSG4505N Channel 10A, 30V,RDS(ON) 14m P Channel -8.4A, -30V,RDS(ON) 20m Elektronische Bauelemente Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90o0.375 REFThe SSG4505 provide the designer with the best combination of fast switching, 6.205.800.25ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 3.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SSG4462N , SSG4463P , SSG4470STM , SSG4480N , SSG4490N , SSG4492N , SSG4499P , SSG4501 , IRFP260 , SSG4502CE , SSG4503 , SSG4505 , SSG4510 , SSG4512CE , SSG4520H , SSG4530C , SSG4536C .

History: PSU07N65

 

 
Back to Top

 


 
.