SSG4935P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSG4935P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 VQgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSG4935P
SSG4935P Datasheet (PDF)
ssg4935p.pdf
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ssg4932n.pdf
SSG4932N 10 A, 30 V, RDS(ON) 13.5 mDual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs SOP-8 utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical Bapplication
ssg4930n.pdf
SSG4930N 5 A, 30 V, RDS(ON) 58 mDual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications a
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SSG4934N 8.9 A, 30 V, RDS(ON) 58 m Dual N-Channel Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical
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Liste
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