SSG9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSG9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSG9435

SSG9435 Datasheet (PDF)

..1. Size:3159K secos
ssg9435.pdf

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0.1. Size:610K secos
ssg9435bdy.pdf

SSG9435BDY -5.3 A, -30 V, RDS(ON) 36 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free SOP-8 DESCRIPTION The SSG9435BDY provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, Blow on-resistance and cost-effectiveness. The SOP-8 package is

0.2. Size:628K secos
ssg9435p.pdf

SSG9435P -6.5 A, -30 V, RDS(ON) 49 mP-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION SOP-8 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to Bprovide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

9.1. Size:581K secos
ssg9475.pdf

SSG94756.9A, 60V,RDS(ON) 40m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FETRoHS Compliant ProductSOP-8Description0.190.250.400.90oThe SSG9475 provide the designer with the best Combination of fast switching, 0.375 REF6.20ruggedized device design, Ultra low on-resistance and cost-effectiveness. 5.800.25The SOP-8 is universally preferred f

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Liste

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