SSPS7331P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSPS7331P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: DFN3X38PP

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SSPS7331P datasheet

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SSPS7331P

SSPS7331P -13.4 A , -30 V , RDS(ON) 13 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN3x3-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat

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SSPS7331P

SSPS7332N 17 A , 30 V , RDS(ON) 13.5 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat

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SSPS7331P

SSPS7333P -10.9 A , -30 V , RDS(ON) 20 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN3x3-8PP These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipat

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SSPS7331P

SSPS7330N 11 A , 30 V, RDS(ON) 22 m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DFN3x3-8PP DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs B utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation.

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