SSRF90N06 Todos los transistores

 

SSRF90N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSRF90N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0265 Ohm
   Paquete / Cubierta: ITO220
 

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SSRF90N06 Datasheet (PDF)

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SSRF90N06

SSRF90N06 N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET 87A, 60V, RDS(ON) 26.5m Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC c

 0.1. Size:138K  secos
 ssrf90n06-10.pdf pdf_icon

SSRF90N06

SSRF90N06-10 90A, 60V, RDS(ON) 9.9m N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen free DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench ITO-220process to provide Low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat B Ndissipation. Typical applications are DC-DC

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History: STP7NK80ZFP | IPP100N08S2L-07 | IRF7205TR | AO4918 | NTMFS5C646NLT3G | 2N6660CSM4 | SM2A04NSV

 

 
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