SST2605 Todos los transistores

 

SST2605 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SST2605
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT26
 

 Búsqueda de reemplazo de SST2605 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SST2605 datasheet

 ..1. Size:3219K  secos
sst2605.pdf pdf_icon

SST2605

SST2605 -4.0A, -30V,RDS(ON) 80m Elektronische Bauelemente P-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET o Electrical Characteristics( Tj=25 C Unless otherwise specified) Parameter Typ. Symbol Min. Max. Unit Test Condition _ _ V VGS=0V, ID=-250uA Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS -30 o o _ _ Breakdown Voltage Temp. Coefficient V/ Reference to 25 C,ID=-1mA C BVDS/ Tj -0.02

 8.1. Size:851K  secos
sst2604.pdf pdf_icon

SST2605

SST2604 5.5A, 30V,RDS(ON) 45m Elektronische Bauelemente N-Channel Enhancement Mode Power Mos.FET RoHS Compliant Product SOT-26 Description 1.90REF 0.95REF 0.95REF 1.2 REF The SST2604 utiltzed advance processing techniques to achieve the lowest 0.45 REF 0.60 REF possible on-resistance, extermely efficient and cost-effectiveness device. 2.60 3.00 The SST2604 is universally use

Otros transistores... SSQ6N60 , SSRF30N20-400 , SSRF4N60 , SSRF50P04-16 , SSRF60N10 , SSRF90N06 , SSRF90N06-10 , SST2604 , IRF1404 , SSPS922NE , SSPS924NE , SSU50N10 , STT2604 , STT2605 , STT3402N , STT3405P , STT3423P .

 

 
Back to Top

 


 
.