STT3585 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT3585
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8(17) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55(50) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: TSOP6
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STT3585 datasheet
stt3585.pdf
STT3585 3.5A, 20V, RDS(ON) 75m -2.5A, -20V, RDS(ON) 160m Elektronische Bauelemente N And P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION TSOP-6 The STT3585 provide the designer with best combination A of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness. E L The TSOP-6 packag
stt3520c.pdf
STT3520C N-Ch 3.7 A, 23 V, RDS(ON) 58 m P-Ch -2.7 A, -23 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION These miniature surface mount MOSFETs utilize high cell density A process. Low RDS(on) assures minimal power loss and conserves E e
stt3599c.pdf
STT3599C (N-Ch) 3.7 A, 30 V, RDS(ON) 63 m (P-Ch) -2.7 A, -30 V, RDS(ON) 112 m Elektronische Bauelemente N & P-Channel Enhancement Mode Mos.FET RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free DESCRIPTION TSOP-6 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density A trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power
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