STT6802 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STT6802
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
STT6802 Datasheet (PDF)
stt6802.pdf

STT6802 3.3A , 30V , RDS(ON) 65 m N-Channel Enhancement Mode MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen and lead-free TSOP-6 DESCRIPTION STT6802 utilized advanced processing techniques AEto achieve the lowest possible on-resistance, extremely Lefficient and cost-effectiveness device. The TSOP-6 6 5
Otros transistores... STT3922N , STT3962N , STT3962NE , STT3981 , STT3998N , STT4443 , STT6405 , STT6602 , 2SK3568 , SUM6K1N , SGM0410 , SSD04N65 , SSD20N10-130D , SSM9575 , SST3585 , 2N4003K , 2N60D .
History: SSM3K05FU | AONR66821
History: SSM3K05FU | AONR66821



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337 | ksc1845 | c1815 transistor | 2sc1815 | irfz44