WTK6679 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WTK6679
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: SOP8
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WTK6679 datasheet
wtk6679.pdf
WTK6679 Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET DRAIN CURRENT P b Lead(Pb)-Free -14 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE Features -30 VOLTAGE * Super high dense * Cell design for low RDS(ON) * R
wtk6680.pdf
WTK6680 Surface Mount N-Channel DRAIN CURRENT Enhancement Mode MOSFET 11.5 AMPERES DRAIN SOURCE VOLTAGE P b Lead(Pb)-Free 30 VOLTAGE Description The WTK6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. 1 The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount
Otros transistores... WTD9575 , WTD9973 , WTG3043 , WTK4224 , WTK4228 , WTK4424 , WTK4435 , WTK4501 , 7N60 , WTK6680 , WTK9410 , WTK9431 , WTK9435 , WTK9971 , WTL2602 , WTL2622 , WTM2310A .
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