WTK6679 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WTK6679
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 37 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTK6679

WTK6679 Datasheet (PDF)

..1. Size:1082K wietron
wtk6679.pdf

WTK6679Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-14 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-30 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

9.1. Size:683K wietron
wtk6680.pdf

WTK6680Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode MOSFET11.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free30 VOLTAGEDescription:The WTK6680 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.1The SOP-8 package is universally preferred for all commercial-industrial surface mount

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History: WTC1333 | IRFU1018EPBF | KU035N06P

Liste

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