WTK9410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WTK9410
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET WTK9410

WTK9410 Datasheet (PDF)

..1. Size:877K wietron
wtk9410.pdf

WTK9410Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode MOSFET18 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free30 VOLTAGEFeatures:* Simple Drive Requirement.* Low On-Resistance.* Fast Switching.* Super high dense cell design for low RDS(ON)1 RDS(ON)

9.1. Size:1366K wietron
wtk9435.pdf

WTK9435Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-5.3 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-30 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

9.2. Size:1067K wietron
wtk9431.pdf

WTK9431Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-20 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

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Liste

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