WTK9435 Todos los transistores

 

WTK9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WTK9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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WTK9435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1366K  wietron
 wtk9435.pdf pdf_icon

WTK9435

WTK9435Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-5.3 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-30 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

 8.1. Size:1067K  wietron
 wtk9431.pdf pdf_icon

WTK9435

WTK9431Surface Mount P-ChannelEnhancement Mode MOSFETDRAIN CURRENTP b Lead(Pb)-Free-3.5 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEFeatures:-20 VOLTAGE* Super high dense* Cell design for low RDS(ON)* R

 9.1. Size:877K  wietron
 wtk9410.pdf pdf_icon

WTK9435

WTK9410Surface Mount N-ChannelDRAIN CURRENTEnhancement Mode MOSFET18 AMPERESDRAIN SOURCE VOLTAGEP b Lead(Pb)-Free30 VOLTAGEFeatures:* Simple Drive Requirement.* Low On-Resistance.* Fast Switching.* Super high dense cell design for low RDS(ON)1 RDS(ON)

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History: RU205C | BTS282Z

 

 
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