FDB6670AL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDB6670AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO263AB

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FDB6670AL datasheet

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FDB6670AL

May 2003 FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 V designed specifically to improve the overall efficiency of RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 V DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. Critical DC elect

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FDB6670AL

May 2008 FDP6670AS/FDB6670AS tm 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a

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FDB6670AL

SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing

Otros transistores... FDB4030L, FDB5680, FDB5690, FDB6030BL, FDB6030L, FDB6035AL, FDB6035L, FDB603AL, 4435, FDB7030BL, FDB7030L, FDB7045L, FDB8030L, AS3401, FDC5612, FDC6301N, FDC6302P