FDB6670AL Todos los transistores

 

FDB6670AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDB6670AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB
 

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FDB6670AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  fairchild semi
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FDB6670AL

May 2003FDP6670AL/FDB6670ALN-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETGeneral Description FeaturesThis N-Channel Logic Level MOSFET has been 80 A, 30 V RDS(ON) = 6.5 m @ VGS = 10 Vdesigned specifically to improve the overall efficiency ofRDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 4.5 VDC/DC converters using either synchronous orconventional switching PWM controllers. Critical DC elect

 6.1. Size:784K  fairchild semi
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FDB6670AL

May 2008FDP6670AS/FDB6670AS tm30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 31 A, 30 V. RDS(ON) = 8.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 10.5 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing a

 9.1. Size:83K  fairchild semi
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FDB6670AL

SEPTEMBER 2001 FDP6690S/FDB6690S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET General Description Features This MOSFET is designed to replace a single MOSFET 21 A, 30 V. RDS(ON) = 15.5 m @ VGS = 10 V and parallel Schottky diode in synchronous DC:DC RDS(ON) = 23.0 m @ VGS = 4.5 V power supplies. This 30V MOSFET is designed to maximize power conversion efficiency, providing

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