CEB07N65 Todos los transistores

 

CEB07N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB07N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB07N65 Datasheet (PDF)

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CEB07N65

CEP07N65/CEB07N65CEF07N65PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N65 650V 1.3 7A 10VCEB07N65 650V 1.3 7A 10VCEF07N65 650V 1.3 7A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

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CEB07N65

CEP07N65A/CEB07N65ACEF07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N65A 650V 1.45 7A 10VCEB07N65A 650V 1.45 7A 10VCEF07N65A 650V 1.45 7A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GCEB SERIESCEP SERIES CE

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CEB07N65

CEP07N7/CEB07N7CEF07N7PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP07N7 700V 1.5 6.6A 10VCEB07N7 700V 1.5 6.6A 10VCEF07N7 700V 1.5 6.6A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

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History: SIS412DN | BRCS50N06DP | SWF3N80D | TPC8123 | 2SK3134 | 2SK3012 | TPC8119

 

 
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