CEB07N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB07N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 166 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB07N7 datasheet

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CEB07N7

CEP07N7/CEB07N7 CEF07N7 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP07N7 700V 1.5 6.6A 10V CEB07N7 700V 1.5 6.6A 10V CEF07N7 700V 1.5 6.6A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

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CEB07N7

CEP07N65/CEB07N65 CEF07N65 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP07N65 650V 1.3 7A 10V CEB07N65 650V 1.3 7A 10V CEF07N65 650V 1.3 7A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SER

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CEB07N7

CEP07N65A/CEB07N65A CEF07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP07N65A 650V 1.45 7A 10V CEB07N65A 650V 1.45 7A 10V CEF07N65A 650V 1.45 7A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G CEB SERIES CEP SERIES CE

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