CEF05N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF05N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CEF05N65 datasheet

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CEF05N65

CEP05N65/CEB05N65 CEF05N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP05N65 650V 2.4 4.5A 10V CEB05N65 650V 2.4 4.5A 10V CEF05N65 650V 2.4 4.5A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO

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CEF05N65

CEF05N6 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 5A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220F full-pak for through hole. G CEF SERIES S TO-220F ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbo

 8.1. Size:344K  cet
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CEF05N65

CEP05N8/CEB05N8 CEF05N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP05N8 800V 2.9 4.4A 10V CEB05N8 800V 2.9 4.4A 10V CEF05N8 800V 2.9 4.4A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF S

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