CEP02N6A Todos los transistores

 

CEP02N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP02N6A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CEP02N6A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEP02N6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  cet
 cep02n6a ceb02n6a cef02n6a.pdf pdf_icon

CEP02N6A

CEP02N6A/CEB02N6ACEF02N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6A 600V 8.5 1.4A 10VCEB02N6A 600V 8.5 1.4A 10VCEF02N6A 600V 8.5 1.4A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESSTO-263(

 7.1. Size:342K  1
 cef02n65d cep02n65d ceb02n65d.pdf pdf_icon

CEP02N6A

CEP02N65D/CEB02N65D CEF02N65DPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65D 650V 6.9 2A 10VCEB02N65D 650V 6.9 2A 10VCEF02N65D 650V 6.9 2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF S

 7.2. Size:391K  cet
 cep02n65a ceb02n65a cef02n65a.pdf pdf_icon

CEP02N6A

CEP02N65A/CEB02N65ACEF02N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEB02N65A 650V 10.5 1.3A 10VCEF02N65A 650V 10.5 1.3A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GCEB SERIESCEP SERIES C

 7.3. Size:393K  cet
 cep02n6g ceb02n6g cef02n6g.pdf pdf_icon

CEP02N6A

CEP02N6G/CEB02N6GCEF02N6GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP02N6G 600V 5 2.2A 10VCEB02N6G 600V 5 2.2A 10VCEF02N6G 600V 5 2.2A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CEF06N7 , CEF07N65 , CEF07N65A , CEF07N7 , CEP01N65 , CEP01N6G , CEP02N65A , CEP02N65G , 5N60 , CEP02N6G , CEP02N7G , CEP02N9 , CEP03N8 , CEP04N6 , CEP04N65 , CEP04N7G , CEP05N65 .

History: 2SK1329 | TK55S10N1

 

 
Back to Top

 


 
.