AS3401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AS3401
Código: X1_B1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtonⓘ - Tiempo de encendido: 6.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
- Selección de transistores por parámetros
AS3401 Datasheet (PDF)
as3401.pdf

P-Channel MOSFET AS3401SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE Load Switch for Portable Devices 3. DRAIN DC/DC Converter MARKING: X 1 or B 1Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV -30 VDSS
as3402.pdf

AS3402 N-Channel MOSFET SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE 3. DRAIN Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING: X 2 or B 2Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV 30 VDSS-
as3409.pdf

P-Channel MOSFET AS3409SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETSSOT-23 FEATURE TrenchFET Power MOSFET 1. GATE APPLICATIONS 2. SOURCE Load Switch for Portable Devices 3. DRAIN DC/DC Converter MARKING: B 9 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Characteristic Symbol Max Unit Drain-Source VoltageBV -30 VDSS
as3404.pdf

N-Channel MOSFET AS3404SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Dimensions In Millimeters Dimensions In InchesSymbolMin Max Min MaxA 0.900 1.150 0.035 0.045A1 0.000 0.100 0.000 0.004A2 0.900 1.050 0.035 0.041b 0.300 0.500 0.012 0.020c 0.080 0.150 0.003 0.006D 2.800 3.000 0.110 0.118E 1.200 1.400 0.047 0.055E1 2.250 2.550 0.089 0.100e 0.
Otros transistores... FDB6035AL , FDB6035L , FDB603AL , FDB6670AL , FDB7030BL , FDB7030L , FDB7045L , FDB8030L , 5N60 , FDC5612 , FDC6301N , FDC6302P , FDC6303N , FDC6304P , FDC6305N , FDC6306P , FDC6308P .
History: APT60M75PVR | TTD100N04AT | JANSR2N7411 | 12N60G-TF3-T | IRFR9014
History: APT60M75PVR | TTD100N04AT | JANSR2N7411 | 12N60G-TF3-T | IRFR9014



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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