CEP04N65 Todos los transistores

 

CEP04N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP04N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 104 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 18 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.8 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP04N65

 

CEP04N65 Datasheet (PDF)

1.1. cep04n65 ceb04n65 cef04n65.pdf Size:358K _cet

CEP04N65
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CEP04N65/CEB04N65 CEF04N65 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP04N65 650V 2.8? 4A 10V CEB04N65 650V 2.8? 4A 10V CEF04N65 650V 2.8? 4A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-2

3.1. cep04n6 ceb04n6 cef04n6.pdf Size:357K _cet

CEP04N65
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CEP04N6/CEB04N6 CEF04N6 PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP04N6 600V 2.4? 4.2A 10V CEB04N6 600V 2.4? 4.2A 10V CEF04N6 600V 2.4? 4.2A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-2

 4.1. cep04n7g ceb04n7g cef04n7g.pdf Size:440K _cet

CEP04N65
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CEP04N7G/CEB04N7G CEF04N7G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP04N7G 700V 3.3? 4A 10V CEB04N7G 700V 3.3? 4A 10V CEF04N7G 700V 3.3? 4A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-22

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