CEB20A03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB20A03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 197 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1055 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB20A03 datasheet

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CEB20A03

CEP20A03/CEB20A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 197A, RDS(ON) = 2 m @VGS = 10V. RDS(ON) = 3 m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE

 9.1. Size:419K  cet
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CEB20A03

CEP20P10/CEB20P10 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES -100V, -20A, RDS(ON) =130m @VGS = -10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unles

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CEB20A03

CEP20P06/CEB20P06 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -60V, -14A, RDS(ON) =125m @VGS = -10V. RDS(ON) =175m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T

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