CEP15A03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP15A03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 190 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 114.7 nC

Tiempo de elevación (tr): 21 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1570 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0045 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CEP15A03 Datasheet (PDF)

1.1. cep15a03 ceb15a03.pdf Size:395K _cet

CEP15A03/CEB15A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

5.1. cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf Size:349K _cet

CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24? -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C

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Liste

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