CEP15A03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP15A03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 190 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 114.7 nC
Tiempo de elevación (tr): 21 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1570 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0045 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP15A03
CEP15A03 Datasheet (PDF)
1.1. cep15a03 ceb15a03.pdf 
Size:395K _cet
CEP15A03/CEB15A03 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 190A, RDS(ON) = 4.5m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise
5.1. cef15p15 cep15p15 ceb15p15.pdf Size:349K _cet
CEP15P15/CEB15P15 CEF15P15 PRELIMINARY P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEB15P15 -150V 0.24? -15A -10V CEF15P15 -150V 0.24? -15A d -10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES C
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
