CEB14A04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEB14A04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB14A04

CEB14A04 Datasheet (PDF)

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cep14a04 ceb14a04.pdf

CEP14A04/CEB14A04N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES40V, 180A, RDS(ON) = 5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise note

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cep14g04 ceb14g04.pdf

CEP14G04/CEB14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES40V, 140A, RDS(ON) = 3.6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.5m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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cep140n10 ceb140n10.pdf

CEP140N10/CEB140N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 137A, RDS(ON) = 7.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise

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cef14p20 cep14p20 ceb14p20.pdf

CEP14P20/CEB14P20CEF14P20PRELIMINARYP-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEB14P20 -200V 0.36 -13.5A -10VCEF14P20 -200V 0.36 -13.5A d -10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIE

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cep14n5 ceb14n5 cef14n5.pdf

CEP14N5/CEB14N5CEF14N5PRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP14N5 500V 0.38 14A 10VCEB14N5 500V 0.38 14A 10VCEF14N5 500V 0.38 14A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SER

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Liste

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