CEP10N4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP10N4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 450 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CEP10N4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEP10N4 datasheet

 ..1. Size:109K  cet
 cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf pdf_icon

CEP10N4

CEP10N4/CEB10N4 CEI10N4/CEF10N4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N4 450V 0.7 10A 10V CEB10N4 450V 0.7 10A 10V CEI10N4 450V 0.7 10A 10V CEF10N4 450V 0.7 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO

 8.1. Size:420K  cet
 cep10n6 ceb10n6 cef10n6.pdf pdf_icon

CEP10N4

CEP10N6/CEB10N6 CEF10N6 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N6 600V 0.75 10A 10V CEB10N6 600V 0.75 10A 10V CEF10N6 600V 0.75 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PA

 8.2. Size:385K  cet
 cep10n65 ceb10n65 cef10n65.pdf pdf_icon

CEP10N4

CEP10N65/CEB10N65 CEF10N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N65 650V 0.85 10A 10V CEB10N65 650V 0.85 10A 10V CEF10N65 650V 0.85 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CE

 8.3. Size:320K  ncepower
 ncep10n85aq.pdf pdf_icon

CEP10N4

http //www.ncepower.com NCEP10N85AQ NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP10N85AQ uses Super Trench II technology that is VDS =85V,ID =51A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=9.5m (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=12.5m (typical) @ VGS=4.5V loss

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... CEP13N5, CEB12N5, CEF12N5, CEF13N5, CEP12N5, CEB12N6, CEF12N6, CEP12N6, AO4468, CEB10N4, CEI10N4, CEF10N4, CEB10N6, CEF10N6, CEP10N6, CEB09N7G, CEF09N7G