CEB10N4 Todos los transistores

 

CEB10N4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB10N4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB10N4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:109K  cet
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CEB10N4

CEP10N4/CEB10N4CEI10N4/CEF10N4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N4 450V 0.7 10A 10VCEB10N4 450V 0.7 10A 10VCEI10N4 450V 0.7 10A 10VCEF10N4 450V 0.7 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO

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 cep10n6 ceb10n6 cef10n6.pdf pdf_icon

CEB10N4

CEP10N6/CEB10N6 CEF10N6N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N6 600V 0.75 10A 10VCEB10N6 600V 0.75 10A 10VCEF10N6 600V 0.75 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PA

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 cep10n65 ceb10n65 cef10n65.pdf pdf_icon

CEB10N4

CEP10N65/CEB10N65CEF10N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N65 650V 0.85 10A 10VCEB10N65 650V 0.85 10A 10VCEF10N65 650V 0.85 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CE

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History: IRFSL3507 | CS5N65U | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
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