CEB10N4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEB10N4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB10N4

CEB10N4 Datasheet (PDF)

..1. Size:109K cet
cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf

CEP10N4/CEB10N4CEI10N4/CEF10N4N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N4 450V 0.7 10A 10VCEB10N4 450V 0.7 10A 10VCEI10N4 450V 0.7 10A 10VCEF10N4 450V 0.7 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO

8.1. Size:420K cet
cep10n6 ceb10n6 cef10n6.pdf

CEP10N6/CEB10N6 CEF10N6N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N6 600V 0.75 10A 10VCEB10N6 600V 0.75 10A 10VCEF10N6 600V 0.75 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PA

8.2. Size:385K cet
cep10n65 ceb10n65 cef10n65.pdf

CEP10N65/CEB10N65CEF10N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP10N65 650V 0.85 10A 10VCEB10N65 650V 0.85 10A 10VCEF10N65 650V 0.85 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CE

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SRT10N230HD | SSB60R099SFD | STP200NF04 | TSM9426DCS

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: