CEP10N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP10N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 166 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 44 nC
Tiempo de elevación (tr): 61 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 220 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.75 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP10N6
CEP10N6 Datasheet (PDF)
1.1. cep10n6 ceb10n6 cef10n6.pdf 
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CEP10N6/CEB10N6 CEF10N6 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N6 600V 0.75? 10A 10V CEB10N6 600V 0.75? 10A 10V CEF10N6 600V 0.75? 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK) TO-22
1.2. cep10n65 ceb10n65 cef10n65.pdf Size:385K _cet
CEP10N65/CEB10N65 CEF10N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N65 650V 0.85? 10A 10V CEB10N65 650V 0.85? 10A 10V CEF10N65 650V 0.85? 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES
4.1. cep10n4 ceb10n4 cei10n4 cef10n4.pdf Size:109K _cet
CEP10N4/CEB10N4 CEI10N4/CEF10N4 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP10N4 450V 0.7? 10A 10V CEB10N4 450V 0.7? 10A 10V CEI10N4 450V 0.7? 10A 10V CEF10N4 450V 0.7? 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-262 packag
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