CEB540L Todos los transistores

 

CEB540L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB540L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 199 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

 Búsqueda de reemplazo de CEB540L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEB540L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:681K  cet
 cep540l ceb540l cef540l.pdf pdf_icon

CEB540L

CEP540L/CEB540L CEF540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABS

 8.1. Size:407K  cet
 cep540n ceb540n cef540n.pdf pdf_icon

CEB540L

CEP540N/CEB540N CEF540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Otros transistores... CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , IRFP260N , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G .

History: FDS9435A-NL | BUK9511-55A | CES2303 | H7P1006MD90TZ | IXTK82N25P | FDS4435-NL | TPM2008P3

 

 
Back to Top

 


 
.