CEB85N75V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB85N75V
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 670 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de CEB85N75V MOSFET
CEB85N75V Datasheet (PDF)
cep85n75v ceb85n75v.pdf

CEP85N75V/CEB85N75VN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES75V, 85A, RDS(ON) = 12m @VGS = 12V. RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK)TO-220SABSOLUTE
cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf

CEP85N75/CEB85N75CEF85N75N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP85N75 75V 12m 86A 10VCEB85N75 75V 12m 86A 10VCEF85N75 75V 12m 86A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through
cep85a3 ceb85a3.pdf

CEP85A3/CEB85A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 90A, RDS(ON) = 6m @VGS = 10V. RDS(ON) = 9m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
Otros transistores... CEB83A3 , CEB83A3G , CEB840A , CEB840G , CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 , CEB85N75 , IRF830 , CEB9060N , CEP630N , CEP730G , CEP73A3G , CEP740A , CEP740G , CEP75A3 , CEP75N06 .
History: AOTL66518 | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | VBP1104N | AM6411P
History: AOTL66518 | SM3106NSU | IRF7484Q | BSC072N04LD | IXTY1N80 | VBP1104N | AM6411P



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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