CEP75N06G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEP75N06G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEP75N06G

CEP75N06G Datasheet (PDF)

..1. Size:418K cet
cep75n06g ceb75n06g.pdf

CEP75N06G/CEB75N06GN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 75A, RDS(ON) = 13m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

6.1. Size:324K cet
cep75n06 ceb75n06.pdf

CEP75N06/CEB75N06N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 87A, RDS(ON) = 12m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise notedPa

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cep75n10 ceb75n10.pdf

CEP75N10/CEB75N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES100V, 72A, RDS(ON) = 15m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherw

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cep75a3 ceb75a3.pdf

CEP75A3/CEB75A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES25V, 69A, RDS(ON) = 9m @VGS = 10V. RDS(ON) = 13m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-263 & TO-220 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

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Liste

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