CEFF640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEFF640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO220F

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CEFF640 datasheet

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CEFF640

CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15 19A 10V CEBF640 200V 0.15 19A 10V CEFF640 200V 0.15 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

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CEFF640

CEPF634/CEBF634 CEIF634/CEFF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF634 250V 0.45 8.1A 10V CEBF634 250V 0.45 8.1A 10V CEIF634 250V 0.45 8.1A 10V CEFF634 250V 0.45 8.1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-

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