CEPF640 Todos los transistores

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CEPF640 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEPF640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 19 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 355 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.15 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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CEPF640 Datasheet (PDF)

1.1. cepf640 cebf640 ceff640.pdf Size:396K _cet

CEPF640
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CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15? 19A 10V CEBF640 200V 0.15? 19A 10V CEFF640 200V 0.15? 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole. G S CE

5.1. cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf Size:407K _cet

CEPF640
CEPF640

CEPF634/CEBF634 CEIF634/CEFF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF634 250V 0.45? 8.1A 10V CEBF634 250V 0.45? 8.1A 10V CEIF634 250V 0.45? 8.1A 10V CEFF634 250V 0.45? 8.1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-26

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